HM Sic GaN MOSFET MOS
HM Sic GaN MOSFET MOS
- HM
- CHINA
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Sic (carboneto de silício) MOS
| Canal N Sic MOS | VDS (máximo) | VGS | VTH | EU IRIA (máximo) | IDM (máximo) | RDS (sobre) (máximo) | ciss | ciss | ciss | Tj | Rθjc | Rθja | Pacote |
| HMM18N120T | 1200V | -10V/ +25V | 2,4V | 18A | 40A | 160 mohms | 890 pF | 54 pF | 8,5 pF | -55- 150°C | 0,9℃/W | 40℃/W | TO-247-3L |
| Canal N GaNMOS | VDS (máximo) | VTH | EU IRIA (máximo) | RDS (sobre) (máximo) | Qg | qrr | ciss | Coss | Crss | Tj | Rθjc | Rθja | Pacote |
| HMN8N65D | 650V | 1,65V | 8A | 220 moham | 18nC | 50nC | 1150pF | 25pF | 1pF | -55- 150°C | 4,5℃/W | 50℃/W | DFN8*8-2L |
| HMN20N65 | 650V | 1,65V | 20A | 120 moham | 20nC | 46 DC | 1250pF | 48 pF | 2pF | -55- 150°C | 1,28 ℃/W | 50℃/W | TO-220 |
| HMN20N65D | 650V | 1,65V | 20A | 125 moham | 20nC | 56nC | 1050pF | 56pF | 2pF | -55- 150°C | 1,8℃/W | 50℃/W | DFN8*8-2L |
