MOSFET DE MODO DE ESGOTAMENTO DE CANAL N

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MOSFET DE MODO DE ESGOTAMENTO DE CANAL N
  • PINGJING
  • CHINA
  • 1 SEMANA
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EspecificaçãoModeloCanalESDDENTRODSDENTROGSEUDPDVP/VGS (desligado)RDS(ligado)(Ω)máx. @VGSPacote
(DENTRO)(DENTRO)(UMA)(DENTRO)Mín. (V)Máx. (V)10V0V
PJM60H12MNSANY600±200,030,5-2,7-1800700HOJE-23
PJDM0615ESANY70±300,10,5-13-vinte e um-30HOJE-23
PJM60H12MNSQNY600±200,030,5-2,7-1800700HOJE-89


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